IDDD04G65C6XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDDD04G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDDD04G65C6XTMA1 nach Preis ab 1.12 EUR bis 3.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101Packaging: Bulk Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD04G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 6.9nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 13A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDDD04G65C6XTMA1 - IDDD04G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V |
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IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes |
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| IDDD04G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 4A; 56W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-HDSOP-10-1 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.25V Leakage current: 0.4µA Max. forward impulse current: 23A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 56W |
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