IDDD08G65C6XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDDD08G65C6XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: HDSOP, Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 10-polig, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDDD08G65C6XTMA1 nach Preis ab 3.52 EUR bis 5.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IDDD08G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V |
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IDDD08G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IDDD08G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDDD08G65C6XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 12.2 nC, HDSOP tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: HDSOP Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 10-polig Produktpalette: CoolSiC 6G 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IDDD08G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD08G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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IDDD08G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 24A 10-Pin HDSOP EP T/R |
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| IDDD08G65C6XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDDD08G65C6XTMA1 SMD Schottky diodes |
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IDDD08G65C6XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 24A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 401pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 420 V |
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