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IDDD16G65C6XTMA1

IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDDD16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f8711b50e0c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 43A
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1700+5.57 EUR
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Technische Details IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Current - Average Rectified (Io): 43A, Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerSOP Module, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies 47infineon-iddd16g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462625a528f01628f.pdf Diode Schottky SiC 650V 43A 10-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
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21+8.37 EUR
22+7.65 EUR
25+7.29 EUR
100+6.27 EUR
250+5.96 EUR
500+5.25 EUR
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22+7.83 EUR
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100+6.62 EUR
250+6.46 EUR
500+5.84 EUR
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IDDD16G65C6XTMA1 IDDD16G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IDDD16G65C6_DS_v02_00_EN-1731492.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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1+9.47 EUR
10+8.21 EUR
100+7 EUR
250+6.94 EUR
500+6.53 EUR
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14+13.2 EUR
18+10.06 EUR
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500+7.15 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
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Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
auf Bestellung 3735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.47 EUR
10+9.78 EUR
100+7.14 EUR
500+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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