IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies
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| 500+ | 0.84 EUR |
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Technische Details IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDH05G120C5XKSA1 nach Preis ab 0.87 EUR bis 6.72 EUR
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 1026 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; PG-TO220-2; 109W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 59A Leakage current: 2.5µA Power dissipation: 109W Kind of package: tube |
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