IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote IDH05G120C5XKSA1 nach Preis ab 4.43 EUR bis 9.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-1Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
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IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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| IDH05G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDH05G120C5XKSA1 THT Schottky diodes |
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