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IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Name: IDH05G120C5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 37279849-5
Price: 425.00 EUR
Availability: InStock

infineon-idh05g120c5-datasheet-v02_02-en.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

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Technische Details IDH05G120C5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IDH05G120C5XKSA1

Infineon Technologies

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

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Infineon Technologies

Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

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Infineon Technologies

SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE

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Infineon Technologies

Infineon-IDH05G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ffffaf7604e24

Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V

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50+	4.03 EUR
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Diode Schottky 1.2KV 19.1A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube

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IDH05G120C5XKSA1

INFINEON

INFN-S-A0001300491-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IDH05G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 19.1 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V

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tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 19.1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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