
IDH05G65C5XKSA2 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IDH05G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 5A PGTO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDH05G65C5XKSA2 nach Preis ab 3.03 EUR bis 5.32 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IDH05G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDH05G65C5XKSA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() Kapazitive Gesamtladung: 8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: thinQ Gen V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH05G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH05G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IDH05G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 160pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
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