Technische Details IDH06G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 10nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IDH06G65C5XKSA2 nach Preis ab 0.9 EUR bis 4.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
 Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V |
auf Bestellung 734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH06G65C5XKSA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH06G65C5XKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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| IDH06G65C5XKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 166+ | 0.9 EUR |
| IDH06G65C5XKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1752 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 39+ | 3.84 EUR |
| IDH06G65C5XKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 650 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.44 EUR |
| 50+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.98 EUR |
| 500+ | 1.6 EUR |
| IDH06G65C5XKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.45 EUR |
| 10+ | 2.22 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.43 EUR |
| IDH06G65C5XKSA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDH06G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 10nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)