Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH06G65C6XKSA1

IDH06G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IDH06G65C6.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; Ir: 46uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 46µA
Power dissipation: 54W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+3.51 EUR
50+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IDH06G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; Ir: 46uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 6A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.25V, Max. forward impulse current: 30A, Leakage current: 46µA, Power dissipation: 54W, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...1.37mm.

Weitere Produktangebote IDH06G65C6XKSA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDH06G65C6 Infineon Technologies Infineon_IDH06G65C6_DS_v02_00_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IDH06G65C6 Infineon_IDH06G65C6_DS_v02_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH