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IDH06G65C6XKSA1 Infineon Technologies


791infineon-idh06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cd4d.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IDH06G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 16A PGTO220, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO220-2, Current - Average Rectified (Io): 16A, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IDH06G65C6XKSA1 IDH06G65C6XKSA1 Infineon Technologies 791infineon-idh06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cd4d.pdf Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH06G65C6XKSA1 IDH06G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH06G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; Ir: 46uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 46µA
Power dissipation: 54W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
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IDH06G65C6XKSA1 IDH06G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH06G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd4d37d7a2df6 Description: DIODE SIL CARB 650V 16A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
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IDH06G65C6XKSA1 IDH06G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDH06G65C6_DS_v02_00_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; PG-TO220-2; Ir: 46uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 46µA
Power dissipation: 54W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
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IDH06G65C6XKSA1 Infineon-IDH06G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd4d37d7a2df6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A PGTO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 420 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Current - Average Rectified (Io): 16A
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Capacitance @ Vr, F: 302pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
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4+4.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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AnzahlPreis
1+5.83 EUR
10+3.78 EUR
100+2.66 EUR
500+2.22 EUR
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IDH06G65C6XKSA1 791infineon-idh06g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cd4d.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 16A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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