IDH08G120C5XKSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.07 EUR |
| 37+ | 6.31 EUR |
| 100+ | 4.44 EUR |
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Technische Details IDH08G120C5XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 1.2 kV, 22.8 A, 28 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 28nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IDH08G120C5XKSA1 nach Preis ab 3.36 EUR bis 8.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE |
auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH08G120C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO2201 Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Current - Average Rectified (Io): 22.8A Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDH08G120C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.52 EUR |
| 10+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 3.89 EUR |
| 500+ | 3.58 EUR |
| 1000+ | 3.36 EUR |
| IDH08G120C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIC 1.2KV 22.8A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 22.8A
Capacitance @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.65 EUR |
| 50+ | 4.39 EUR |
| 100+ | 3.97 EUR |