IDH08G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2202
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 280 µA @ 650 V
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Technische Details IDH08G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2202, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 280 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDH08G65C5XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IDH08G65C5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 13 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: thinQ 5G 650V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IDH08G65C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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| IDH08G65C5XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: thinQ 5G 650V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IDH08G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 650V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 13
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: thinQ 5G 650V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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