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IDH08SG60CXKSA2

IDH08SG60CXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584EABC0B3CE5C469&compId=IDH08SG60C.pdf?ci_sign=67eb5deb2a940f929244edb670b052658efcbe09 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; PG-TO220-2; 100W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO220-2
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
Leakage current: 0.6µA
Power dissipation: 100W
auf Bestellung 34 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details IDH08SG60CXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V.

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IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584EABC0B3CE5C469&compId=IDH08SG60C.pdf?ci_sign=67eb5deb2a940f929244edb670b052658efcbe09 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; PG-TO220-2; 100W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO220-2
Technology: CoolSiC™ 3G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
Leakage current: 0.6µA
Power dissipation: 100W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies idh08sg60c_rev2.3.pdf Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies idh08sg60c_rev2.3.pdf Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDH08SG60C-DS-v02_04-en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDH08SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011ed0066b811be6 Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
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IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies idh08sg60c_rev2.3.pdf Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies idh08sg60c_rev2.3.pdf Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : Infineon Infineon-IDH08SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011ed0066b811be6
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IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Hersteller : Infineon Technologies idh08sg60c_rev2.3.pdf Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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