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IDH08SG60CXKSA2

IDH08SG60CXKSA2 Infineon Technologies

Infineon-IDH08SG60C-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011ed0066b811be6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201
Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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Technische Details IDH08SG60CXKSA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 600V 8A PGTO2201, Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Current - Average Rectified (Io): 8A, Capacitance @ Vr, F: 240pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IDH08SG60CXKSA2 IDH08SG60CXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IDH08SG60C-DS-v02_04-en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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1+9.03 EUR
10+5.9 EUR
100+4.4 EUR
500+3.7 EUR
1000+3.41 EUR
2500+3.2 EUR
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