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IDH09G65C5XKSA2

IDH09G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Infineon-IDH09G65C5-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a069a60db0147
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V
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Technische Details IDH09G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDH09G65C5XKSA2 IDH09G65C5XKSA2 Infineon Technologies Infineon_IDH09G65C5_DS_v02_02_en-3163509.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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10+6.87 EUR
100+5.55 EUR
250+5.24 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.24 EUR
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IDH09G65C5XKSA2 IDH09G65C5XKSA2 INFINEON INFNS19605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 245 Stücke:
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24+10.52 EUR
29+8.28 EUR
100+6.62 EUR
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IDH09G65C5XKSA2 ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IDH09G65C5-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a069a60db0147 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA2 - IDH09G65C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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IDH09G65C5XKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH09G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 9 A, 14 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
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Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: thinQ Gen V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IDH09G65C5XKSA2 Infineon-IDH09G65C5-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a069a60db0147
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDH09G65C5XKSA2 - IDH09G65C - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: Infineon
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