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IDH09G65C5XKSA2

IDH09G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Infineon-IDH09G65C5-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a069a60db0147
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V
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Technische Details IDH09G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IDH09G65C5XKSA2 IDH09G65C5XKSA2 Infineon Technologies Infineon_IDH09G65C5_DS_v02_02_en-3163509.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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10+5.77 EUR
100+4.66 EUR
250+4.4 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.56 EUR
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Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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