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IDH09SG60CXKSA2 INFINEON


INFNS19746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH09SG60CXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III, Einfach, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Produktpalette: thinQ Gen III
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details IDH09SG60CXKSA2 INFINEON

Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-1, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDH09SG60CXKSA2 IDH09SG60CXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IDH09SG60C-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012047f4e80f2cff Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V
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IDH09SG60CXKSA2 IDH09SG60CXKSA2 Infineon Technologies Infineon_IDH09SG60C_DS_v02_03_en-3163351.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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IDH09SG60CXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IDH09SG60C-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012047f4e80f2cff Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-2-1
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Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
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Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
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Rectifier Diode Schottky SiC 600V 9A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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