IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
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| 67+ | 2.14 EUR |
| 68+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.71 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
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Technische Details IDH10G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IDH10G65C5XKSA2 nach Preis ab 1.5 EUR bis 7.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 6143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO220-2-1 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
auf Bestellung 381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH10G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDH10G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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