IDH10G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IDH10G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.25V, Max. forward impulse current: 44A, Leakage current: 77µA, Power dissipation: 72W, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...1.37mm.
Weitere Produktangebote IDH10G65C6XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IDH10G65C6 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDH10G65C6 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH