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IDH10G65C6XKSA1

IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies

481infineon-idh10g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cd50.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies 481infineon-idh10g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cd50.pdf Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH10G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd505b4ec2e17 Description: DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
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IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6XKSA1 Infineon Technologies infineon_idh10g65c6_ds_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6XKSA1 INFINEON INFN-S-A0003554937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IDH10G65C6XKSA1 IDH10G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH10G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
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Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Diode Schottky SiC 650V 24A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH10G65C6XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 24A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 420 V
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SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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10+6.94 EUR
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500+4.32 EUR
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2500+3.77 EUR
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IDH10G65C6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH10G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; PG-TO220-2; 72W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Leakage current: 77µA
Power dissipation: 72W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
auf Bestellung 30 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH