IDH12G65C5 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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| 18+ | 8.63 EUR |
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| 500+ | 5.95 EUR |
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Technische Details IDH12G65C5 Infineon Technologies
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W, Case: PG-TO220-2, Max. off-state voltage: 650V, Max. forward voltage: 1.8V, Load current: 12A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 83A, Leakage current: 2.4µA, Power dissipation: 104W, Kind of package: tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Heatsink thickness: 1.17...137mm, Mounting: THT, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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IDH12G65C5 Produktcode: 165219
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden |
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| IDH12G65C5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 83A Leakage current: 2.4µA Power dissipation: 104W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...137mm Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDH12G65C5 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
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| IDH12G65C5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W Case: PG-TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 83A Leakage current: 2.4µA Power dissipation: 104W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Heatsink thickness: 1.17...137mm Mounting: THT |
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