IDH12G65C5 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 8.34 EUR |
| 25+ | 7.69 EUR |
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| 100+ | 6.62 EUR |
| 250+ | 6.16 EUR |
| 500+ | 5.74 EUR |
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Technische Details IDH12G65C5 Infineon Technologies
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Case: PG-TO220-2, Type of diode: Schottky rectifying, Semiconductor structure: single diode, Kind of package: tube, Leakage current: 2.4µA, Heatsink thickness: 1.17...137mm, Max. forward voltage: 1.8V, Load current: 12A, Max. forward impulse current: 83A, Power dissipation: 104W, Max. off-state voltage: 650V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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IDH12G65C5 Produktcode: 165219
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden |
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IDH12G65C5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 2.4µA Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Max. forward impulse current: 83A Power dissipation: 104W Max. off-state voltage: 650V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IDH12G65C5 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
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IDH12G65C5 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; PG-TO220-2; 104W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Case: PG-TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 2.4µA Heatsink thickness: 1.17...137mm Max. forward voltage: 1.8V Load current: 12A Max. forward impulse current: 83A Power dissipation: 104W Max. off-state voltage: 650V |
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