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IDH12G65C6XKSA1

IDH12G65C6XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IDH12G65C6_DS_v02_00_EN-1131038.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
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Technische Details IDH12G65C6XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 6G 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IDH12G65C6XKSA1 IDH12G65C6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IDH12G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd4b8049d2de5 Description: DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 420 V
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IDH12G65C6XKSA1 IDH12G65C6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 951infineon-idh12g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cd4b.pdf Diode Schottky SiC 650V 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH12G65C6XKSA1 IDH12G65C6XKSA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614499-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH12G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 27 A, 17.1 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 17.1nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 27A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IDH12G65C6XKSA1
Produktcode: 150354
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IDH12G65C6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDH12G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cd4b8049d2de5 IDH12G65C6 THT Schottky diodes
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