IDH16G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 16A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 15.8 EUR |
10+ | 13.55 EUR |
100+ | 11.29 EUR |
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Technische Details IDH16G120C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 57nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ 5G 1200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDH16G120C5XKSA1 nach Preis ab 8.92 EUR bis 16.79 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IDH16G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE |
auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDH16G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH16G120C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 40 A, 57 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 57nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH16G120C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 40A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDH16G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; 250W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Power dissipation: 250W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5.5µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDH16G120C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; 250W; PG-TO220-2 Case: PG-TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.65V Power dissipation: 250W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5.5µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 120A |
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