IDH16G65C6XKSA1


Infineon-IDH16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce39244070531
Produktcode: 150355
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDH16G65C6_DS_v02_00_EN-1131103.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
auf Bestellung 7546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.91 EUR
10+5.76 EUR
100+4.84 EUR
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IDH16G65C6XKSA1 IDH16G65C6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDH16G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015ce39244070531 Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
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2+13.43 EUR
50+7.21 EUR
100+6.61 EUR
500+5.56 EUR
1000+5.22 EUR
2000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: PG-TO220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 53 µA @ 420 V
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