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IDH20G65C5XKSA2

IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies

infineonidh20g65c5dsv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 78 Stücke:
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Technische Details IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDH20G65C5XKSA2 IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies infineonidh20g65c5dsv0202en.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH20G65C5XKSA2 IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies infineonidh20g65c5dsv0202en.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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IDH20G65C5XKSA2 IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies infineonidh20g65c5dsv0202en.pdf Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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50+6.26 EUR
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IDH20G65C5XKSA2 IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH20G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ed0010fda1bd3&fileId=db3a30433a047ba0013a06d5f79701c6 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
auf Bestellung 868 Stücke:
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2+16.73 EUR
10+11.38 EUR
50+9.08 EUR
100+8.34 EUR
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IDH20G65C5XKSA2 IDH20G65C5XKSA2 INFINEON INFNS19609-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 431 Stücke:
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14+19.22 EUR
17+13.97 EUR
23+9.32 EUR
50+8.89 EUR
100+8.46 EUR
250+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2201
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
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Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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