IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 12.04 EUR |
50+ | 12.01 EUR |
100+ | 10.75 EUR |
500+ | 9.48 EUR |
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Technische Details IDH20G65C5XKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDH20G65C5XKSA2 nach Preis ab 9.67 EUR bis 17.91 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IDH20G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IDH20G65C5XKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C5XKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDH20G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDH20G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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IDH20G65C5XKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
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