
IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARB 650V 6A PGTO2632
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1000+ | 1.67 EUR |
2000+ | 1.56 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IDK06G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDK06G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 6 A, 10 nC, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK), Kapazitive Gesamtladung: 10nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDK06G65C5XTMA2 nach Preis ab 1.81 EUR bis 4.96 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IDK06G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4934 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IDK06G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.1 mA @ 650 V |
auf Bestellung 3124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IDK06G65C5XTMA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
IDK06G65C5XTMA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 10nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
IDK06G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
IDK06G65C5XTMA2 | Hersteller : Infineon |
![]() |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |