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IDL02G65C5XUMA1

IDL02G65C5XUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IDL02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ffd4f05a141d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
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Technische Details IDL02G65C5XUMA1 Infineon Technologies

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDL02G65C5XUMA1 ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IDL02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ffd4f05a141d Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDL02G65C5XUMA1 - IDL02G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
hazardous: true
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IDL02G65C5XUMA1 Infineon-IDL02G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142ffd4f05a141d
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDL02G65C5XUMA1 - IDL02G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE
euEccn: TBC
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2189 Stücke:
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