IDL10G65C5XUMA2 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6 EUR |
| 10+ | 4.56 EUR |
| 100+ | 3.38 EUR |
| 500+ | 2.92 EUR |
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Technische Details IDL10G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IDL10G65C5XUMA2 nach Preis ab 2.78 EUR bis 6.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IDL10G65C5XUMA2 | Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
auf Bestellung 751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDL10G65C5XUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IDL10G65C5XUMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| IDL10G65C5XUMA2 | Infineon |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDL10G65C5XUMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A VSON-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 6.48 EUR |
| 10+ | 4.49 EUR |
| 100+ | 3.3 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| IDL10G65C5XUMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IDL10G65C5XUMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDL10G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IDL10G65C5XUMA2 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)