IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
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Technische Details IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: PG-VSON-4, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDL12G65C5XUMA2 nach Preis ab 4.33 EUR bis 9.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC thinQ Gen V, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 6243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC thinQ Gen V, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON tariffCode: 85411000 Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 6243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 650V 12A 4-Pin VSON EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDL12G65C5 SMD Schottky diodes |
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