
IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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1+ | 7.69 EUR |
10+ | 5.61 EUR |
25+ | 5.19 EUR |
100+ | 4.33 EUR |
250+ | 4.15 EUR |
500+ | 3.96 EUR |
3000+ | 3.41 EUR |
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Technische Details IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: VSON, Kapazitive Gesamtladung: 18nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IDL12G65C5XUMA2 nach Preis ab 3.28 EUR bis 8.82 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
auf Bestellung 6130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: VSON Kapazitive Gesamtladung: 18nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IDL12G65C5XUMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-VSON-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V |
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