IDM05G120C5XTMA1
Produktcode: 180059
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IDM05G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IDM05G120C5XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDM05G120C5XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5 EUR |
| 10+ | 3.26 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| IDM05G120C5XTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.17 EUR |
| 10+ | 3.57 EUR |
| 100+ | 2.6 EUR |
| 250+ | 2.45 EUR |
| 500+ | 2.13 EUR |
| 1000+ | 1.95 EUR |
| 2500+ | 1.94 EUR |
| IDM05G120C5XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
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Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IDM05G120C5XTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A
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Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: thinQ 5G 1200V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)


