IDM05G120C5XTMA1
Produktcode: 180059
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDM05G120C5XTMA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Einfach, 1.2 kV, 22.2 A, 24 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 24nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 22.2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: thinQ 5G 1200V productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 22.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IDM05G120C5XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A PGTO2522 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: PG-TO252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 33 µA @ 1200 V |
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