IDP30E60XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 600V 52.3A 126ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details IDP30E60XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 126 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 52.3A, Supplier Device Package: PG-TO220-2-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote IDP30E60XKSA1 nach Preis ab 1.53 EUR bis 3.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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| IDP30E60XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDP30E60XKSA1 THT universal diodes |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IDP30E60XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDP30E60XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 126 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 52.3A Supplier Device Package: PG-TO220-2-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
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