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IDP30E65D1XKSA1

IDP30E65D1XKSA1 INFINEON

INFN-S-A0000110243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDP30E65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Einfach, 1.7 V, 64 ns, 180 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 64ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Rapid 1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 358 Stücke:
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Technische Details IDP30E65D1XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IDP30E65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 60 A, Einfach, 1.7 V, 64 ns, 180 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Durchlassstoßstrom: 180A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 64ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: Rapid 1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDP30E65D1XKSA1 IDP30E65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDP30E65D1-DataSheet-v02_01-EN.pdf Small Signal Switching Diodes IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+2.31 EUR
100+2.07 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
5000+1.39 EUR
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IDP30E65D1XKSA1 IDP30E65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDP30E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493816a4eb19a2 Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.93 EUR
50+2.94 EUR
100+2.65 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IDP30E65D1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IDP30E65D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493816a4eb19a2 Rectifier Diode Switching 650V 60A 64ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.58 EUR
56+3.11 EUR
57+2.93 EUR
100+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Description: DIODE GP 650V 60A TO220-2-1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: PG-TO220-2-1
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
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Hersteller: Infineon Technologies
Rectifier Diode Switching 650V 60A 64ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
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50+3.58 EUR
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