
IDV30E65D2XKSA1 Infineon Technologies

Description: DIODE GP 650V 30A TO220-2FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 140 Stücke:
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Anzahl | Preis |
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Technische Details IDV30E65D2XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GP 650V 30A TO220-2FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: PG-TO220-2 Full Pack, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDV30E65D2XKSA1 nach Preis ab 3.26 EUR bis 4.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IDV30E65D2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IDV30E65D2XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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