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IDW10G65C5XKSA1

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Produktcode: 190599
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 73 Stücke:
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35+4.99 EUR
37+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 73 Stücke:
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35+4.99 EUR
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IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1884 Stücke:
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27+6.69 EUR
30+5.77 EUR
100+4.77 EUR
240+4.44 EUR
480+4.15 EUR
1200+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.02 EUR
29+5.93 EUR
100+4.83 EUR
240+4.41 EUR
480+4.03 EUR
1200+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDW10G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304339dcf4b10139fc597c6800fc Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.29 EUR
30+4.61 EUR
120+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IDW10G65C5_DS_v02_02_en.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
auf Bestellung 108 Stücke:
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1+8.85 EUR
10+5.43 EUR
100+4.21 EUR
480+3.31 EUR
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IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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17+10.35 EUR
20+8.65 EUR
50+6.44 EUR
200+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IDW10G65C5XKSA1 IDW10G65C5XKSA1 INFINEON 1932622.pdf Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 18 Stücke:
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IDW10G65C5XKSA1 idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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IDW10G65C5XKSA1 idw10g65c5_final_datasheet_v2_2.pdf
IDW10G65C5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IDW10G65C5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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AnzahlPrivatkunde
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30+5.77 EUR
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IDW10G65C5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IDW10G65C5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IDW10G65C5XKSA1 Infineon_IDW10G65C5_DS_v02_02_en.pdf
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SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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20+8.65 EUR
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IDW10G65C5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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