IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
35+ | 4.48 EUR |
37+ | 4.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IDW10G65C5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 15nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDW10G65C5XKSA1 nach Preis ab 2.9 EUR bis 9.3 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 192-196 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW10G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 2923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 Produktcode: 190599 |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 65W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 46A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 µA @ 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IDW10G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; PG-TO247-3 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 65W Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.8V Load current: 10A Leakage current: 2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 46A |
Produkt ist nicht verfügbar |