IDW16G65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; PG-TO247-3
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 94W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 74A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; PG-TO247-3
Case: PG-TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 94W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 3.2µA
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 74A
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Technische Details IDW16G65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDW16G65C5XKSA1 nach Preis ab 6.08 EUR bis 13.5 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IDW16G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; PG-TO247-3 Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 94W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Leakage current: 3.2µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 74A |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDW16G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDW16G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES |
auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IDW16G65C5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW16G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 16 A, 23 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDW16G65C5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |