IDW20G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SIC 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 31A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 83 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 31A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 83 µA @ 1200 V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 18.6 EUR |
30+ | 14.85 EUR |
120+ | 13.28 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IDW20G120C5BFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW20G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 106nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IDW20G120C5BFKSA1 nach Preis ab 14.1 EUR bis 20.43 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDW20G120C5BFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE |
auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW20G120C5BFKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 62 A, 106 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 106nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 62A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 250W; tube Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 12µA Max. off-state voltage: 1.2kV Power dissipation: 250W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.4V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IDW20G120C5BFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 250W; tube Case: PG-TO247-3 Mounting: THT Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 180A Leakage current: 12µA Max. off-state voltage: 1.2kV Power dissipation: 250W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.4V |
Produkt ist nicht verfügbar |