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IDW20G65C5B Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Technische Details IDW20G65C5B Infineon Technologies

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: PG-TO247-3, Max. forward voltage: 1.8V, Max. forward impulse current: 46A, Leakage current: 2µA, Power dissipation: 130W, Kind of package: tube.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IDW20G65C5B	Infineon Technologies	SiC Schottky Diodes SIC DIODES	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	IDW20G65C5BXKSA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 46A Leakage current: 2µA Power dissipation: 130W Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IDW20G65C5B

Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES

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IDW20G65C5BXKSA2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 46A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube

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