IDW32G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
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| 1+ | 18.88 EUR |
| 10+ | 16.58 EUR |
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| 50+ | 11.79 EUR |
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Technische Details IDW32G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 16A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDW32G65C5BXKSA2 nach Preis ab 16.17 EUR bis 21.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IDW32G65C5BXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 16A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
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| IDW32G65C5BXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
650V SiC Schottky Diode |
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| IDW32G65C5BXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW32G65C5B THT Schottky diodes |
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