IDW40G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 24.78 EUR |
| 10+ | 23.18 EUR |
| 25+ | 15.77 EUR |
| 50+ | 15.61 EUR |
| 100+ | 13.97 EUR |
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Technische Details IDW40G65C5BXKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDW40G65C5BXKSA2 nach Preis ab 20.87 EUR bis 27.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IDW40G65C5BXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V |
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IDW40G65C5BXKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 29nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: thinQ Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IDW40G65C5BXKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
650V SiC Schottky Diode |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IDW40G65C5BXKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW40G65C5B THT Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |