IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details IDW40G65C5BXKSA2 INFINEON
Description: INFINEON - IDW40G65C5BXKSA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 29nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: thinQ Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDW40G65C5BXKSA2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2473 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies |
SiC Schottky Diodes SIC DIODES |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IDW40G65C5BXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W Mounting: THT Max. forward impulse current: 87A Max. forward voltage: 1.8V Power dissipation: 112W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A x2 Kind of package: tube Semiconductor structure: common cathode; double Leakage current: 4.1µA Case: PG-TO247-3 Type of diode: Schottky rectifying |
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| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies |
650V SiC Schottky Diode |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IDW40G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies |
650V SiC Schottky Diode |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IDW40G65C5BXKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A PGTO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 590pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 210 µA @ 650 V
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| IDW40G65C5BXKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
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| IDW40G65C5BXKSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; PG-TO247-3; 112W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 87A
Max. forward voltage: 1.8V
Power dissipation: 112W
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Leakage current: 4.1µA
Case: PG-TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
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| IDW40G65C5BXKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650V SiC Schottky Diode
650V SiC Schottky Diode
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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| IDW40G65C5BXKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
650V SiC Schottky Diode
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