IDW75D65D1XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesRectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IDW75D65D1XKSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 108 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 150A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 75 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote IDW75D65D1XKSA1 nach Preis ab 3.2 EUR bis 6.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IDW75D65D1XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IDW75D65D1XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 108 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 75 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
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IDW75D65D1XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS |
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IDW75D65D1XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Rectifier Diode Switching 650V 150A 127ns 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IDW75D65D1XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IDW75D65D1XKSA1 THT universal diodes |
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