IDWD40G200C5XKSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 114 A, 358 nC, TO-247
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 358nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 114A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 5G Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 62.8 EUR |
| 5+ | 51.42 EUR |
| 10+ | 41.13 EUR |
| 50+ | 34.76 EUR |
| 100+ | 33.9 EUR |
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Technische Details IDWD40G200C5XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IDWD40G200C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G Series, Einfach, 2 kV, 114 A, 358 nC, TO-247, tariffCode: 85412900, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 358nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 114A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: CoolSiC 5G Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IDWD40G200C5XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IDWD40G200C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE SIC 2000V 114A TO247-2U01 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 4550pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 114A Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 2 kV |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IDWD40G200C5XKSA1 | Infineon Technologies |
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE |
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| IDWD40G200C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 2000V 114A TO247-2U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4550pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 2 kV
Description: DIODE SIC 2000V 114A TO247-2U01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4550pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 114A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-U01
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 2 kV
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| IDWD40G200C5XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Schottky Diodes & Rectifiers SIC DISCRETE
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