IDWD60E65E7XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.81 EUR |
| 10+ | 6.26 EUR |
| 25+ | 4.74 EUR |
| 100+ | 3.88 EUR |
| 480+ | 3.14 EUR |
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Technische Details IDWD60E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD60E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 99 ns, 240 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Durchlassstoßstrom: 240A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.1V, Sperrverzögerungszeit: 99ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IDWD60E65E7XKSA1 nach Preis ab 3.83 EUR bis 8.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IDWD60E65E7XKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IDWD60E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 99 ns, 240 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 99ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IDWD60E65E7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IDWD60E65E7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD60E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 99 ns, 240 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 240A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 99ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IDWD60E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 99 ns, 240 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 240A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 99ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 30+ | 8.38 EUR |
| 40+ | 5.82 EUR |
| 100+ | 3.83 EUR |
| IDWD60E65E7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Description: DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-2-2
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.14 EUR |
| 10+ | 5.16 EUR |