IDWD60E65E7XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.23 EUR |
| 10+ | 4.40 EUR |
| 100+ | 3.56 EUR |
| 240+ | 3.34 EUR |
| 480+ | 3.15 EUR |
| 1200+ | 2.69 EUR |
| 2640+ | 2.53 EUR |
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Technische Details IDWD60E65E7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IDWD60E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 99 ns, 240 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Durchlassstoßstrom: 240A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.1V, Sperrverzögerungszeit: 99ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IDWD60E65E7XKSA1 nach Preis ab 4.34 EUR bis 5.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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IDWD60E65E7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IDWD60E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 100 A, Einfach, 2.1 V, 99 ns, 240 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 240A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.1V Sperrverzögerungszeit: 99ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IDWD60E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIODE GEN PURP 650V 100A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 5A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 100A Supplier Device Package: PG-TO247-2-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
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| IDWD60E65E7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
INDUSTRY 14 |
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