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IGB10N60TATMA1

IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Produktcode: 191421
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon TIGB10n60t_0001.pdf IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2 EUR
57+1.28 EUR
100+0.87 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.06 EUR
10+1.95 EUR
100+1.32 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.9 EUR
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
100+1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IGB10N60TATMA1 TIGB10n60t_0001.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
20+1.8 EUR
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
36+2 EUR
57+1.28 EUR
100+0.87 EUR
250+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IGB10N60TATMA1 Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf
IGB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+1.95 EUR
100+1.32 EUR
500+1.06 EUR
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IGB10N60TATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
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