IGB10N60TATMA1


IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Produktcode: 191421
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.87 EUR
205+0.84 EUR
224+0.75 EUR
250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+0.93 EUR
202+0.83 EUR
205+0.79 EUR
224+0.69 EUR
250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
176+0.98 EUR
177+0.95 EUR
200+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
473+1.38 EUR
525+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon TIGB10n60t_0001.pdf IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.38 EUR
57+1.52 EUR
100+1.04 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON 2332235.pdf Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
86+2.71 EUR
128+1.68 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.36 EUR
100+2.28 EUR
500+1.49 EUR
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IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
202+0.87 EUR
205+0.84 EUR
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250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
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IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
187+0.93 EUR
202+0.83 EUR
205+0.79 EUR
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250+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
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IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+1.05 EUR
176+0.98 EUR
177+0.95 EUR
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Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
473+1.38 EUR
525+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 473 Stücke
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IGB10N60TATMA1 TIGB10n60t_0001.pdf
Hersteller: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
20+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+2.38 EUR
57+1.52 EUR
100+1.04 EUR
250+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5+4.52 EUR
10+2.92 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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55+4.57 EUR
86+2.71 EUR
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IGB10N60TATMA1 Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+5.21 EUR
10+3.36 EUR
100+2.28 EUR
500+1.49 EUR
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