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IGB10N60TATMA1

IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.

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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
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2000+0.92 EUR
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.80 EUR
50+1.46 EUR
63+1.14 EUR
66+1.09 EUR
250+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN-1226697.pdf IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : INFINEON 2332235.pdf Description: INFINEON - IGB10N60TATMA1 - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGB10N60TATMA1 Hersteller : Infineon IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 20
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IGB10N60TATMA1
Produktcode: 191421
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