IGB50N60T Infineon Technologies


Infineon_IGB50N60T_DS_v02_07_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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Technische Details IGB50N60T Infineon Technologies

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 333W, Case: D2PAK, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Collector-emitter voltage: 600V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB50N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IGB50N60TATMA1 IGB50N60T-DTE.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
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