| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.25 EUR |
| 10+ | 6.72 EUR |
| 100+ | 4.94 EUR |
| 500+ | 4.4 EUR |
| 1000+ | 3.89 EUR |
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Technische Details IGB50N60T Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 50A, Power dissipation: 333W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: tube.
Weitere Produktangebote IGB50N60T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IGB50N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGB50N60TATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
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