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IGC025S08S1XTMA1 транзистор польовий

Produktcode: 223372
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.99 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+4.06 EUR
20000+3.68 EUR
30000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigc025s08s1datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
auf Bestellung 6952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.25 EUR
10+5.44 EUR
50+4.22 EUR
100+3.83 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
auf Bestellung 8626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.29 EUR
10+4.25 EUR
100+3.86 EUR
500+3.28 EUR
2500+3.08 EUR
5000+2.81 EUR
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IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10 EUR
38+6.13 EUR
100+3.99 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1 infineon-igc025s08s1-datasheet-en.pdf
IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
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AnzahlPrivatkunde
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IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+3.43 EUR
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IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+4.06 EUR
20000+3.68 EUR
30000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
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IGC025S08S1XTMA1
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GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
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AnzahlPrivatkunde
1+8.29 EUR
10+4.25 EUR
100+3.86 EUR
500+3.28 EUR
2500+3.08 EUR
5000+2.81 EUR
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IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
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25+10 EUR
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