Technische Details IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R.
Weitere Produktangebote IGD01N120H2BUMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
|
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 535 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IGD01N120H2BUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 535 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGD01N120H2BUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IGD01N120H2BUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH



