IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R.
Weitere Produktangebote IGD01N120H2BUMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IGD01N120H2BUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 |
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IGD01N120H2BUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I |
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