IGD10N65T6ARMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: 75W, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 23A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 23A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.