Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IGI60L1414B1MXUMA1
IGI60L1414B1MXUMA1

IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies

infineon_igi60l1414b1m_datasheet_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+11.48 EUR
10+8.32 EUR
25+7.78 EUR
100+6.64 EUR
250+6.49 EUR
500+5.86 EUR
1000+5.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies

GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.

Weitere Produktangebote IGI60L1414B1MXUMA1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IGI60L1414B1MXUMA1 IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies infineonigi60l1414b1mdatasheeten.pdf Driver 0.7A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IGI60L1414B1MXUMA1 infineonigi60l1414b1mdatasheeten.pdf
IGI60L1414B1MXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Driver 0.7A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH