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IGI60L1414B1MXUMA1

IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies

infineon_igi60l1414b1m_datasheet_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.66 EUR
10+9.9 EUR
25+9.26 EUR
100+7.9 EUR
250+7.72 EUR
500+6.97 EUR
1000+6.91 EUR
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Technische Details IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies

GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IGI60L1414B1MXUMA1 IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies infineon-igi60l1414b1m-datasheet-en.pdf Description: IC DRVR HALF BR PG-TFLGA-27-2
auf Bestellung 2928 Stücke:
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2+14.97 EUR
10+10.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IGI60L1414B1MXUMA1 infineon-igi60l1414b1m-datasheet-en.pdf
IGI60L1414B1MXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IC DRVR HALF BR PG-TFLGA-27-2
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