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IGI60L5050B1MXUMA1

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Produktcode: 221203
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IC > IC Transistoren-Treiber

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    IGI60L5050B1MXUMA1 IGI60L5050B1MXUMA1 Infineon Technologies infineon_igi60l5050b1m_datasheet_en.pdf GaN FETs 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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    IGI60L5050B1MXUMA1 IGI60L5050B1MXUMA1 Infineon Technologies infineon-igi60l5050b1m-datasheet-en.pdf Description: HV IGAN/SIPS/MONOLITH
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Features: Bootstrap Circuit
    Package / Case: 27-PowerTFLGA
    Mounting Type: Surface Mount
    Interface: PWM
    Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
    Output Configuration: Half Bridge
    Voltage - Supply: 10V ~ 20V
    Rds On (Typ): 500mOhm
    Applications: DC Motors, General Purpose
    Current - Output / Channel: 2.3A, 3A
    Current - Peak Output: 4A, 6.7A
    Technology: NMOS
    Voltage - Load: 600V (Max)
    Supplier Device Package: PG-TFLGA-27-2
    Fault Protection: UVLO
    Load Type: Capacitive and Resistive
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    IGI60L5050B1MXUMA1 IGI60L5050B1MXUMA1 INFINEON 4633738.pdf Description: INFINEON - IGI60L5050B1MXUMA1 - Halbbrücken-Gate-Treiber, 600V Ausgangsspannung, TFLGA-EP-27
    tariffCode: 85423990
    Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TFLGA-EP
    rohsCompliant: YES
    Ausgangsspannung, min.: -
    Ausgangsspannung, max.: 600V
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Ausgangsstrom: -
    IC-Nummer: IGI60L5050B1M
    Schaltfrequenz, max.: -
    isCanonical: Y
    usEccn: EAR99
    Eingangsspannung, max.: -
    euEccn: NLR
    Eingangsspannung, min.: -
    Anzahl der Pins: 27Pin(s)
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    SVHC: To Be Advised
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    IGI60L5050B1MXUMA1 IGI60L5050B1MXUMA1 INFINEON 4633738.pdf Description: INFINEON - IGI60L5050B1MXUMA1 - Halbbrücken-Gate-Treiber, 600V Ausgangsspannung, TFLGA-EP-27
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    rohsPhthalatesCompliant: YES
    usEccn: EAR99
    auf Bestellung 3000 Stücke:
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    		 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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    IGI60L5050B1MXUMA1 infineon_igi60l5050b1m_datasheet_en.pdf
    IGI60L5050B1MXUMA1
    Hersteller: Infineon Technologies
    GaN FETs 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
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    500+3.52 EUR
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    IGI60L5050B1MXUMA1 infineon-igi60l5050b1m-datasheet-en.pdf
    IGI60L5050B1MXUMA1
    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: HV IGAN/SIPS/MONOLITH
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Features: Bootstrap Circuit
    Package / Case: 27-PowerTFLGA
    Mounting Type: Surface Mount
    Interface: PWM
    Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
    Output Configuration: Half Bridge
    Voltage - Supply: 10V ~ 20V
    Rds On (Typ): 500mOhm
    Applications: DC Motors, General Purpose
    Current - Output / Channel: 2.3A, 3A
    Current - Peak Output: 4A, 6.7A
    Technology: NMOS
    Voltage - Load: 600V (Max)
    Supplier Device Package: PG-TFLGA-27-2
    Fault Protection: UVLO
    Load Type: Capacitive and Resistive
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    IGI60L5050B1MXUMA1 4633738.pdf
    IGI60L5050B1MXUMA1
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IGI60L5050B1MXUMA1 - Halbbrücken-Gate-Treiber, 600V Ausgangsspannung, TFLGA-EP-27
    tariffCode: 85423990
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    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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    IGI60L5050B1MXUMA1
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IGI60L5050B1MXUMA1 - Halbbrücken-Gate-Treiber, 600V Ausgangsspannung, TFLGA-EP-27
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