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IGL65R110D2XUMA1

IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies

448_IGL65R110D2.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGL65R110D2XUMA1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
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Technische Details IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

Weitere Produktangebote IGL65R110D2XUMA1 nach Preis ab 2.38 EUR bis 7.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R110D2_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
auf Bestellung 2850 Stücke:
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1+7.04 EUR
10+4.65 EUR
100+3.29 EUR
500+2.82 EUR
3000+2.38 EUR
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IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 INFINEON 448_IGL65R110D2.pdf Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IGL65R110D2XUMA1 Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R110D2_1_0.pdf
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GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
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IGL65R110D2XUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Qualifikation: -
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Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
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