IGLD60R190D1AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.