IGLR60R190D1XUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 9.17 EUR |
| 10+ | 7.69 EUR |
| 100+ | 6.22 EUR |
| 500+ | 5.53 EUR |
| 1000+ | 4.74 EUR |
| 2000+ | 4.46 EUR |
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Technische Details IGLR60R190D1XUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CollGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IGLR60R190D1XUMA1 nach Preis ab 5.05 EUR bis 9.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IGLR60R190D1XUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HV GAN DISCRETES |
auf Bestellung 4764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLR60R190D1XUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLR60R190D1XUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR60R190D1XUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 12.8A GaN 8-Pin TSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGLR60R190D1XUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc) Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-6 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |