IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 8.73 EUR |
| 500+ | 7.97 EUR |
| 1000+ | 7.26 EUR |
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Technische Details IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.5nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CollGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IGLR60R260D1XUMA1 nach Preis ab 4.5 EUR bis 13.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IGLR60R260D1XUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
auf Bestellung 4699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IGLR60R260D1XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.5nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLR60R260D1XUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
auf Bestellung 4699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.36 EUR |
| 10+ | 7.1 EUR |
| 25+ | 7.08 EUR |
| 100+ | 5.19 EUR |
| 500+ | 4.5 EUR |
| IGLR60R260D1XUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 13.02 EUR |
| 22+ | 10.77 EUR |
| 100+ | 8.73 EUR |
| 500+ | 7.97 EUR |
| 1000+ | 7.26 EUR |