| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 18.74 EUR |
| 10+ | 13.43 EUR |
| 100+ | 10.75 EUR |
| 1000+ | 9.13 EUR |
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Technische Details IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11nC, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IGLT65R025D2AUMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IGLT65R025D2AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLT65R025D2AUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IGLT65R025D2AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IGLT65R025D2AUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 67A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 18A Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |