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IGLT65R025D2AUMA1

IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies

Infineon_IGLT65R025D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
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Technische Details IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11nC, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IGLT65R025D2AUMA1 IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421078.pdf Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HDSOP
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Produktpalette: CoolGaN G5 Series
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IGLT65R025D2AUMA1 IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421078.pdf Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 16Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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IGLT65R025D2AUMA1
Hersteller: INFINEON
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IGLT65R025D2AUMA1
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