IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 11nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 28.11 EUR |
| 11+ | 22.76 EUR |
| 12+ | 17.93 EUR |
| 50+ | 16.45 EUR |
| 100+ | 14.97 EUR |
| 250+ | 14.67 EUR |
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Technische Details IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 11nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Weitere Produktangebote IGLT65R025D2AUMA1 nach Preis ab 14.67 EUR bis 28.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IGLT65R025D2AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 11nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IGLT65R025D2AUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 28.11 EUR |
| 11+ | 22.76 EUR |
| 12+ | 17.93 EUR |
| 50+ | 16.45 EUR |
| 100+ | 14.97 EUR |
| 250+ | 14.67 EUR |